portal.guldu.uz

В последнее время многими исследователями интенсивно изучается проблема влияния внешних воздействий на свойства и характеристики полупроводниковых приборов на основе структур МДП. Это связано с широким применением полупроводниковых приборов, имеющих такую структуру, в современной микроэлектронике. Здесь, в первую очередь, надо отметить полевые транзисторы с изолированным затвором, элементы памяти, работающие на тунелировании электронов через слой и их локализации на границе раздела , поверхностно барьерные варикапы, большой класс интегральных микросхем, а также солнечные элементы.